| SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| شماره قطعه | SIR470DP-T1-GE3 |
| سازنده | Vishay Siliconix |
| شرح | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| مقدار موجود | 31246 pcs new original in stock. درخواست سهام و نقل قول |
| مدل ECAD | |
| برگه های اطلاعات | 1.SIR470DP-T1-GE3.pdf2.SIR470DP-T1-GE3.pdf3.SIR470DP-T1-GE3.pdf4.SIR470DP-T1-GE3.pdf |
| SIR470DP-T1-GE3 Price |
درخواست قیمت و زمان سرب آنلاین or Email us: Info@ariat-tech.com |
| اطلاعات فنی SIR470DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| شماره بخش تولید کننده | SIR470DP-T1-GE3 | دسته بندی | |
| سازنده | Vishay / Siliconix | شرح | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | مقدار موجود | 31246 pcs |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | VGS (حداکثر) | ±20V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | کننده بسته بندی دستگاه | PowerPAK® SO-8 |
| سلسله | TrenchFET® | RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | بسته بندی / مورد | PowerPAK® SO-8 |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 5660 pF @ 20 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 155 nC @ 10 V | نوع FET | N-Channel |
| FET ویژگی | - | درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| شماره محصول پایه | SIR470 | ||
| دانلود | SIR470DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
به ما ایمیل بزنید: Info@Ariat-Tech.com یا RFQ SIR470DP-T1-GE3 Online.
| سهام SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 قیمت | الکترونیک SIR470DP-T1-GE3 |
| قطعات SIR470DP-T1-GE3 | پرسشنامه SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 Digikey |
| SIR470DP-T1-GE3 تامین کننده | سفارش SIR470DP-T1-GE3 آنلاین | پرس و جو SIR470DP-T1-GE3 |
| تصویر SIR470DP-T1-GE3 | تصویر SIR470DP-T1-GE3 | SIR470DP-T1-GE3 PDF |
| SIR470DP-T1-GE3 Datasheet | دانلود Datasheet SIR470DP-T1-GE3 | سازنده Vishay / Siliconix |
